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掌壓門

日期：2021-07-19瀏覽：3285次

掌壓門包含門架和包裹在該門架外表層的外裝飾套，上述門架一邊安裝有合頁，上述門架為由兩根豎杆和兩根橫杆組成的方形框架結構，各自為一號豎杆和二號豎杆，上述鉸鏈安裝在一號豎杆遠離上述二號豎杆一邊，上述二號豎杆裏側中心安裝有中心固定座；上述門架裏側安裝有一號內杆和第三內杆，上述一號內杆一邊與上述中心固定座固定銜接，另一邊斜向一號內杆頂端且與上方的橫杆相接；上述第三內杆一邊與上述中心固定座固定銜接且與一號內杆相接，另一邊斜向一號豎杆底部且與下方的橫杆相接，進而與一號內杆形成V字形結構；上述門架內水平安裝有二號內杆，上述第三內杆一邊與一號內杆和二號內杆的相接處固定銜接，另一邊與上述一號豎杆固定銜接；上述中心固定座上成型有配合上述一號內杆、上述二號內杆和上述第三內杆的V型槽。上述一號內杆與上述一號豎杆和橫杆的相接處固定安裝有一號頂塊，上述一號頂塊各自於上述一號豎杆和上方的上述橫杆固定銜接；

掌壓門技術參數：

ID：最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過ID。此參數會隨結溫度的上升而有所減額

IDM：最大脈衝漏源電流。此參數會隨結溫度的上升而有所減額

PD：最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。此參數一般會隨結溫度的上升有所減額

V（BR）DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS為0時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小於V（BR）DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。△V（BR）DSS/△Tj：漏源擊穿電壓的溫度係數，一般為0.1V/℃

RDS（on）：在特定的VGS（一般為10V）、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算

VGS（th）：開啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控製電壓VGS超過VGS（th）時，漏區和源區的表麵反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下ID等於1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低

掌壓門製作廠家：

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